功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證
采用基于邊界的3D求解器,精準(zhǔn)優(yōu)化功率晶體管陣列中的導(dǎo)通電阻(Rdson)和Gate Delay。
檢查并優(yōu)化電流密度“熱點(diǎn)”,檢查電遷移違規(guī)。
優(yōu)化版圖布局和pad放置,檢測(cè)缺失的通孔和金屬電流擁擠。
將協(xié)同設(shè)計(jì)擴(kuò)展到芯片、封裝和PCB環(huán)境,確保芯片電路更優(yōu)電熱性能。
集成易用的結(jié)果查看器,使剖面分析報(bào)告和場(chǎng)視圖清晰易懂。
高精度參數(shù)提取和優(yōu)化
2D視圖、求解器視圖和場(chǎng)視圖
分析Pad、Via位置
分析電遷移、過(guò)熱故障等隱患
基于仿真的瞬態(tài)電熱分析
提升開(kāi)關(guān)頻率
功率器件
設(shè)計(jì)分析
(IGBT)
車(chē)規(guī)芯片
設(shè)計(jì)分析
電源芯片
設(shè)計(jì)分析(PMIC/
DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
數(shù)?;旌?br/>信號(hào)芯片
設(shè)計(jì)分析
協(xié)同優(yōu)化
系統(tǒng)電熱性能
(Chip/Package/PCB)
高壓氮化鎵
功率器件
設(shè)計(jì)分析