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電路分析

首頁(yè) 產(chǎn)品與技術(shù) 泛模擬設(shè)計(jì)類(lèi)EDA

PTM

功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證

Rdson提取 Gate Delay分析 電熱分析

PTM是應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計(jì)分析套件，已被國(guó)際眾多功率器件廠商認(rèn)可和采納。它不僅可以高精度提取Rdson，還可以驗(yàn)證器件的開(kāi)關(guān)行為，確保產(chǎn)品的可靠性和壽命。

  • 采用基于邊界的3D求解器，精準(zhǔn)優(yōu)化功率晶體管陣列中的導(dǎo)通電阻（Rdson）和Gate Delay。

  • 檢查并優(yōu)化電流密度“熱點(diǎn)”，檢查電遷移違規(guī)。

  • 優(yōu)化版圖布局和pad放置，檢測(cè)缺失的通孔和金屬電流擁擠。

  • 將協(xié)同設(shè)計(jì)擴(kuò)展到芯片、封裝和PCB環(huán)境，確保芯片電路更優(yōu)電熱性能。

  • 集成易用的結(jié)果查看器，使剖面分析報(bào)告和場(chǎng)視圖清晰易懂。


下載產(chǎn)品單頁(yè)

產(chǎn)品亮點(diǎn)

  • 精準(zhǔn)

    高精度參數(shù)提取和優(yōu)化

  • 視圖豐富

    2D視圖、求解器視圖和場(chǎng)視圖

  • 布局優(yōu)化

    分析Pad、Via位置

  • 可靠性

    分析電遷移、過(guò)熱故障等隱患

  • 動(dòng)態(tài)分析

    基于仿真的瞬態(tài)電熱分析

  • 開(kāi)關(guān)分析

    提升開(kāi)關(guān)頻率

產(chǎn)品應(yīng)用

  • 功率器件
    設(shè)計(jì)分析
    （IGBT）

  • 車(chē)規(guī)芯片
    設(shè)計(jì)分析

  • 電源芯片
    設(shè)計(jì)分析（PMIC/
    DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

  • 數(shù)?；旌?br/>信號(hào)芯片
    設(shè)計(jì)分析

  • 協(xié)同優(yōu)化
    系統(tǒng)電熱性能
    (Chip/Package/PCB)

  • 高壓氮化鎵
    功率器件
    設(shè)計(jì)分析

產(chǎn)品視頻

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